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FGA20S120M

FGA20S120M

참조 용

부품 번호 FGA20S120M
PNEDA 부품 번호 FGA20S120M
설명 IGBT 1200V 40A 348W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,210
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA20S120M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA20S120M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA20S120M, FGA20S120M 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 733.14 KB)
PDFFGA20S120M 데이터 시트 표지
FGA20S120M 데이터 시트 페이지 2 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 3 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 4 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 5 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 6 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 7 FGA20S120M 데이터 시트 페이지 8

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FGA20S120M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 20A
전력-최대348W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지208nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

333W

에너지 전환

1.15mJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/490ns

테스트 조건

600V, 15A, 34Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

IKD06N60R

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

330µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/127ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/160ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRGR3B60KD2PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

전력-최대

52W

에너지 전환

62µJ (on), 39µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/110ns

테스트 조건

400V, 3A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

77ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.16mJ (on), 470µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/93ns

테스트 조건

600V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

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