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FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

참조 용

부품 번호 FGA20N120FTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA20N120FTDTU
설명 IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 24,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA20N120FTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA20N120FTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA20N120FTDTU, FGA20N120FTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 414.52 KB)
PDFFGA20N120FTDTU 데이터 시트 표지
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FGA20N120FTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
전력-최대298W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지137nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)447ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

관심을 가질만한 제품

FGB40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

SGB15N60ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

139W

에너지 전환

570µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

76nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/234ns

테스트 조건

400V, 15A, 21Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

IXGT16N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

전력-최대

190W

에너지 전환

9.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/400ns

테스트 조건

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGD8NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

전력-최대

62W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

23.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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SRN8040TA-100M

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PIC18F63J11-I/PT

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LT1783CS5#TRMPBF

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