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FF600R06ME3BOSA1

FF600R06ME3BOSA1

참조 용

부품 번호 FF600R06ME3BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF600R06ME3BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 600A
제조업체 Infineon Technologies
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FF600R06ME3BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF600R06ME3BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF600R06ME3BOSA1, FF600R06ME3BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 630.12 KB)
PDFFF600R06ME3BOSA1 데이터 시트 표지
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FF600R06ME3BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)700A
전력-최대1650W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce39nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

89A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

CM150E3U-12H

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.2nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IFS150B12N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

750W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

6250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

39A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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