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FF300R12MS4BOSA1

FF300R12MS4BOSA1

참조 용

부품 번호 FF300R12MS4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF300R12MS4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 300A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $2,109.6737
50 ---------- $2,010.7828
100 ---------- $1,911.8918
200 ---------- $1,813.0009
400 ---------- $1,730.5917
500 ---------- $1,648.1826
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FF300R12MS4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF300R12MS4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF300R12MS4BOSA1, FF300R12MS4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 491.29 KB)
PDFFF300R12MS4BOSA1 데이터 시트 표지
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FF300R12MS4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)370A
전력-최대1950W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.75V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce20nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

340A

전력-최대

800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

FZ1200R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT200A602G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

APTGT50A170T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FF600R12ME4CBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1060A

전력-최대

4050W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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