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FF200R33KF2CNOSA1

FF200R33KF2CNOSA1

참조 용

부품 번호 FF200R33KF2CNOSA1
PNEDA 부품 번호 FF200R33KF2CNOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF200R33KF2CNOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF200R33KF2CNOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF200R33KF2CNOSA1, FF200R33KF2CNOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 339.22 KB)
PDFFF200R33KF2CNOSA1 데이터 시트 표지
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  • FF200R33KF2CNOSA1 Distributor

FF200R33KF2CNOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3300V
전류-수집기 (Ic) (최대)330A
전력-최대2200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4.25V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce25nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FMG1G75US60L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

310W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-GA

공급자 장치 패키지

7PM-GA

FMS7G15US60S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전력-최대

73W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.935nF @ 30V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

APTCV60HM70RT3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGT150DU170G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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