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FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1

참조 용

부품 번호 FF200R12KT3HOSA1
PNEDA 부품 번호 FF200R12KT3HOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF200R12KT3HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF200R12KT3HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF200R12KT3HOSA1, FF200R12KT3HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 429.15 KB)
PDFFF200R12KT3HOSA1 데이터 시트 표지
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FF200R12KT3HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Trench Field Stop

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Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24.5A

전력-최대

82W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

VS-GT75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

APTGF90A60D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

NXH80T120L2Q0SG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

T-Type

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

146W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.99nF @ 20V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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