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FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1

참조 용

부품 번호 FF200R12KT3EHOSA1
PNEDA 부품 번호 FF200R12KT3EHOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF200R12KT3EHOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF200R12KT3EHOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF200R12KT3EHOSA1, FF200R12KT3EHOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 429.24 KB)
PDFFF200R12KT3EHOSA1 데이터 시트 표지
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  • FF200R12KT3EHOSA1 Distributor

FF200R12KT3EHOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

260W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM75GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

103A

전력-최대

520W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM35GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

80µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF450R17ME3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoDUAL™ 3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

605A

전력-최대

2250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

40.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB100DA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전력-최대

447W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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