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FDS3812

FDS3812

참조 용

부품 번호 FDS3812
PNEDA 부품 번호 FDS3812
설명 MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,554
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS3812 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS3812
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS3812, FDS3812 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 86.38 KB)
PDFFDS3812 데이터 시트 표지
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FDS3812 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds634pF @ 40V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3170pF @ 25V

전력-최대

3.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

PMGD370XN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

740mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37pF @ 25V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

NVMFD5C462NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 25V

전력-최대

3.2W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SI1913DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 60V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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