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FDPC5030SG

FDPC5030SG

참조 용

부품 번호 FDPC5030SG
PNEDA 부품 번호 FDPC5030SG
설명 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDPC5030SG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDPC5030SG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDPC5030SG, FDPC5030SG 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 366.08 KB)
PDFFDPC5030SG 데이터 시트 표지
FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 2 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 3 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 4 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 5 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 6 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 7 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 8 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 9 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 10 FDPC5030SG 데이터 시트 페이지 11

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FDPC5030SG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A, 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1715pF @ 15V
전력-최대1W, 1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지Power Clip 56

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시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.17A, 1.64A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 25V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

CSD87334Q3DT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 12A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1260pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

SI6969BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

FDC6321C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA, 460mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SuperSOT™-6

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