FDP20N50F
참조 용
| 부품 번호 | FDP20N50F |
| PNEDA 부품 번호 | FDP20N50F |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 17,220 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDP20N50F 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDP20N50F |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDP20N50F 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | UniFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3390pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 250W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 480W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263-7 (IXTA..7) 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 FDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 560pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 70W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 EF FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 102mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1804pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 208W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1415pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 730mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
