FDMS86540
참조 용
| 부품 번호 | FDMS86540 |
| PNEDA 부품 번호 | FDMS86540 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 20A 8-PQFN |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,070 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMS86540 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMS86540 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDMS86540 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Ta), 50A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6435pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 380mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 101pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 323mW (Ta), 554mW (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ II FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-6 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 100pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 280mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-89-3 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 364pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.79W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7050pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 176W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
