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FDMD85100

FDMD85100

참조 용

부품 번호 FDMD85100
PNEDA 부품 번호 FDMD85100
설명 MOSFET 2N-CH 100V
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 6 - 7월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMD85100 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD85100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMD85100, FDMD85100 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 779.18 KB)
PDFFDMD85100 데이터 시트 표지
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FDMD85100 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.9mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2230pF @ 50V
전력-최대2.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-Power 5x6

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1635pF @ 30V

전력-최대

1.9W (Ta), 16W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

SI7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1010pF @ 10V

전력-최대

19.8W, 21.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2390pF @ 20V

전력-최대

3.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTC60HM70T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

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