FDG6318P
참조 용
| 부품 번호 | FDG6318P |
| PNEDA 부품 번호 | FDG6318P |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,550 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDG6318P 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDG6318P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDG6318P 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 83pF @ 10V |
| 전력-최대 | 300mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88 (SC-70-6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2254pF @ 25V 전력-최대 156W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 110pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TUMT6 |
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