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FDD8447L-F085

FDD8447L-F085

참조 용

부품 번호 FDD8447L-F085
PNEDA 부품 번호 FDD8447L-F085
설명 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDD8447L-F085 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD8447L-F085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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PDFFDD8447L-F085 데이터 시트 표지
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FDD8447L-F085 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1970pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)65W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

99mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

385pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

236mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-89-6

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

RCJ120N25TL

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

235mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LPTS (SC-83)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STW19NM50N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

PSMN2R0-25MLDX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.27mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2490pF @ 12V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

74W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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