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FDC6036P_F077

FDC6036P_F077

참조 용

부품 번호 FDC6036P_F077
PNEDA 부품 번호 FDC6036P_F077
설명 MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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FDC6036P_F077 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDC6036P_F077
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDC6036P_F077, FDC6036P_F077 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 163.92 KB)
PDFFDC6036P_F077 데이터 시트 표지
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FDC6036P_F077 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs44mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds992pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1761pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

P-DSO-8

SSM6N48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSIII

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15.1pF @ 3V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 3mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2850pF @ 1000V

전력-최대

370W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

NTHD5902T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5 nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

HUF76407DK8T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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