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FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

참조 용

부품 번호 FDB035AN06A0-F085
PNEDA 부품 번호 FDB035AN06A0-F085
설명 MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDB035AN06A0-F085 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDB035AN06A0-F085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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FDB035AN06A0-F085 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs124nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)310W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

14V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8075pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarP2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

235nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

IPSA70R950CEAKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

328pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3-347

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NTB45N06LG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 22.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 125W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD24N06LT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

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