F1T4G A0G
참조 용
| 부품 번호 | F1T4G A0G |
| PNEDA 부품 번호 | F1T4G-A0G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,370 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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F1T4G A0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | F1T4G A0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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F1T4G A0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 150ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | T-18, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | TS-1 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1.8A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 140ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 44pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 200pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 SMA 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 350mV @ 100mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 30µA @ 10V 커패시턴스 @ Vr, F 42pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 USC 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, Superectifier® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
