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EPC2051

EPC2051

참조 용

부품 번호 EPC2051
PNEDA 부품 번호 EPC2051
설명 GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
제조업체 EPC
단가 견적 요청
재고 있음 42,354
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EPC2051 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2051
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
EPC2051, EPC2051 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 994.2 KB)
PDFEPC2051ENGRT 데이터 시트 표지
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EPC2051 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형N-Channel
기술GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.7A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.1nC @ 5V
Vgs (최대)+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds258pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Die
패키지 / 케이스Die

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSIII

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PS-8 (2.9x2.4)

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2010pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

IRF6611TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Ta), 150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4860pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

IRL3502STRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 64A, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF8721GTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1040pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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