EPC2019
참조 용
| 부품 번호 | EPC2019 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2019 |
| 설명 | GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 70,254 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2019 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2019 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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EPC2019 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.5A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 180W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4.5pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SMini3-F2 패키지 / 케이스 SC-85 |
