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EL7156CN

EL7156CN

참조 용

부품 번호 EL7156CN
PNEDA 부품 번호 EL7156CN
설명 IC DVR PIN 40MHZ 3STATE 8DIP
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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재고 있음 8,694
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EL7156CN 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL7156CN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
EL7156CN, EL7156CN 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 643.62 KB)
PDFEL7156CS-T7 데이터 시트 표지
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EL7156CN 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급4.5V ~ 16.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3.5A, 3.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14.5ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

60V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-MSOP

MAX5063AASA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

125V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MAX5054BATA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN-EP (3x3)

NCP81080MNTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 1.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 800mA

입력 유형

TTL

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

19ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x2)

HIP6601BCBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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