EFC6602R-TR
참조 용
| 부품 번호 | EFC6602R-TR |
| PNEDA 부품 번호 | EFC6602R-TR |
| 설명 | MOSFET 2N-CH EFCP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,570 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EFC6602R-TR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EFC6602R-TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EFC6602R-TR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFBGA, FCBGA |
| 공급자 장치 패키지 | EFCP2718-6CE-020 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 101mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 7.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870pF @ 10V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 450A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 450A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 3.6V @ 132mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1330nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 38000pF @ 800V 전력-최대 50mW 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1255pF @ 15V 전력-최대 12W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지 8-LSON (5x6) |
