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EDW4032BABG-70-F-R TR

EDW4032BABG-70-F-R TR

참조 용

부품 번호 EDW4032BABG-70-F-R TR
PNEDA 부품 번호 EDW4032BABG-70-F-R-TR
설명 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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EDW4032BABG-70-F-R TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDW4032BABG-70-F-R TR
분류반도체메모리 IC기억

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EDW4032BABG-70-F-R TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷RAM
기술SGRAM - GDDR5
메모리 크기4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.31V ~ 1.65V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스170-TFBGA
공급자 장치 패키지170-FBGA (12x14)

관심을 가질만한 제품

70T653MS12BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

S29WS256R0SBHW000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

WS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-VFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (11.6x8)

NM93C86AN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

S29PL064J60BFI120A

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64M (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

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