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DTC914TUBTL

DTC914TUBTL

참조 용

부품 번호 DTC914TUBTL
PNEDA 부품 번호 DTC914TUBTL
설명 TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
제조업체 Rohm Semiconductor
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재고 있음 8,172
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DTC914TUBTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTC914TUBTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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DTC914TUBTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce820 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
주파수-전환35MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-85
공급자 장치 패키지UMT3F

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

USM

DDTA115TCA-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

PDTC124EMB,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

주파수-전환

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전력-최대

250mW

장착 유형

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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