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DS2431X-S+

DS2431X-S+

참조 용

부품 번호 DS2431X-S+
PNEDA 부품 번호 DS2431X-S
설명 IC EEPROM 1K 1WIRE 6UCSPR
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 15,692
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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DS2431X-S+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2431X-S+
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2431X-S+, DS2431X-S+ 데이터 시트 (총 페이지: 27, 크기: 954.3 KB)
PDFDS2431GB+U 데이터 시트 표지
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DS2431X-S+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (256 x 4)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간2µs
전압-공급-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지6-UCSPR (1.68x1.68)

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

VSON008X2030

71T75902S85BG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MT61K512M32KPA-16:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

8GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.391V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

TE28F320J3D75A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

75ns

접근 시간

75ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

71V016SA10PHGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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