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DS2430AP+

DS2430AP+

참조 용

부품 번호 DS2430AP+
PNEDA 부품 번호 DS2430AP
설명 IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC
제조업체 Maxim Integrated
단가
1 ---------- $181.4326
50 ---------- $172.9279
100 ---------- $164.4233
200 ---------- $155.9186
400 ---------- $148.8314
500 ---------- $141.7442
재고 있음 15,562
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DS2430AP+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2430AP+
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2430AP+, DS2430AP+ 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 860.61 KB)
PDFDS2430AP/T&R 데이터 시트 표지
DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 2 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 3 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 4 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 5 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 6 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 7 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 8 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 9 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 10 DS2430AP/T&R 데이터 시트 페이지 11

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  • DS2430AP+ Distributor

DS2430AP+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기256b (32 x 8)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간15µs
전압-공급-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지6-TSOC

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

288Mb (8M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-µBGA (18.5x11)

IS61LP6436A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

MX25L3235EMI-10G

Macronix

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOP

S29GL02GS12YPCR29

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Wafer

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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