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DS1350YP-100+

DS1350YP-100+

참조 용

부품 번호 DS1350YP-100+
PNEDA 부품 번호 DS1350YP-100_5B
설명 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
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DS1350YP-100+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS1350YP-100+
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS1350YP-100+, DS1350YP-100+ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 218.97 KB)
PDFDS1350YP-100+ 데이터 시트 표지
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DS1350YP-100+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지100ns
접근 시간100ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지34-PowerCap Module

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.3ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-µBGA (18.5x11)

W971GG6SB25I

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

84-WBGA (8x12.5)

DS3065WP-100IND+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-PowerCap™ Module

공급자 장치 패키지

34-PowerCap Module

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