DMTH4011SPD-13
참조 용
| 부품 번호 | DMTH4011SPD-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMTH4011SPD-13 |
| 설명 | MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,356 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMTH4011SPD-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMTH4011SPD-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMTH4011SPD-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.1A (Ta), 42A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 805pF @ 20V |
| 전력-최대 | 2.6W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI5060-8 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A, 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 5.85mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1092pF @ 10V 전력-최대 1.7W, 2.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 HSO8-F3-B |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 879pF @ 40V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 530pF @ 10V, 705pF @ 10V 전력-최대 800mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 25V 전력-최대 781W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
