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DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13

참조 용

부품 번호 DMPH6050SPD-13
PNEDA 부품 번호 DMPH6050SPD-13
설명 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
제조업체 Diodes Incorporated
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DMPH6050SPD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMPH6050SPD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMPH6050SPD-13, DMPH6050SPD-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 528.07 KB)
PDFDMPH6050SPD-13 데이터 시트 표지
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  • DMPH6050SPD-13 Distributor

DMPH6050SPD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1525pF @ 30V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8

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드레인-소스 전압 (Vdss)

190V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

90pF @ 100V

전력-최대

7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SI5504DC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

NTHD5905T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

SI7272DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 15V

전력-최대

22W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

DMC2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta), 310mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V

전력-최대

350mW (Ta)

작동 온도

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