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DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13

참조 용

부품 번호 DMPH6050SPD-13
PNEDA 부품 번호 DMPH6050SPD-13
설명 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
제조업체 Diodes Incorporated
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DMPH6050SPD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMPH6050SPD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMPH6050SPD-13, DMPH6050SPD-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 528.07 KB)
PDFDMPH6050SPD-13 데이터 시트 표지
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  • DMPH6050SPD-13 Distributor

DMPH6050SPD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1525pF @ 30V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1940pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 3mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2850pF @ 1000V

전력-최대

370W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

FMM60-02TF

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

전력-최대

125W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 6V

전력-최대

1.2W

작동 온도

150°C (TJ)

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8-SMD, Flat Lead

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