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DMP58D0SV-7

DMP58D0SV-7

참조 용

부품 번호 DMP58D0SV-7
PNEDA 부품 번호 DMP58D0SV-7
설명 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 154,632
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP58D0SV-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP58D0SV-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMP58D0SV-7, DMP58D0SV-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.92 KB)
PDFDMP58D0SV-7 데이터 시트 표지
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DMP58D0SV-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)160mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27pF @ 25V
전력-최대400mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AOE6932

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V

전력-최대

24W, 52W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

CSD87502Q2T

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32.4mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

353pF @ 15V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WSON (2x2)

ECH8661-TL-HX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NTJD4152PT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

155pF @ 20V

전력-최대

272mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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