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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B

참조 용

부품 번호 DMP21D5UFB4-7B
PNEDA 부품 번호 DMP21D5UFB4-7B
제조업체 Diodes Incorporated
설명 MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 622,392
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP21D5UFB4-7B 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
Mfr. 부품 번호DMP21D5UFB4-7B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP21D5UFB4-7B, DMP21D5UFB4-7B 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 244.83 KB)
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DMP21D5UFB4-7B 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.2V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs970mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs500nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds46.1pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)460mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스3-XFDFN

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.95A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

121nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 25V

FET 기능

Temperature Sensing Diode

전력 손실 (최대)

272W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2308pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

53W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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173mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

619pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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