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DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

참조 용

부품 번호 DMN63D8LDW-13
PNEDA 부품 번호 DMN63D8LDW-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
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예상 배송 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN63D8LDW-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN63D8LDW-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN63D8LDW-13, DMN63D8LDW-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 166.71 KB)
PDFDMN63D8LDW-13 데이터 시트 표지
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DMN63D8LDW-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs870nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds22pF @ 25V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

전력-최대

2.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

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SIZF920DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V, 125nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V

전력-최대

3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15.1pF @ 3V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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