DMN6075S-13
참조 용
| 부품 번호 | DMN6075S-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN6075S-13 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,718 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 1 - 7월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN6075S-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN6075S-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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DMN6075S-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 606pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 800mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH5™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 36V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2345pF @ 18V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 4.2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2530pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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