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DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

참조 용

부품 번호 DMN5L06VAK-7
PNEDA 부품 번호 DMN5L06VAK-7
설명 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN5L06VAK-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN5L06VAK-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN5L06VAK-7, DMN5L06VAK-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 484.37 KB)
PDFDMN5L06VAK-7 데이터 시트 표지
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DMN5L06VAK-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

700mW, 1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

NTJD4105CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 10V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1950pF @ 20V

전력-최대

21W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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