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DMN5L06DWK-7-01

DMN5L06DWK-7-01

참조 용

부품 번호 DMN5L06DWK-7-01
PNEDA 부품 번호 DMN5L06DWK-7-01
설명 MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN5L06DWK-7-01 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN5L06DWK-7-01
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • DMN5L06DWK-7-01 Distributor

DMN5L06DWK-7-01 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3241pF @ 15V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micro Commercial Co

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA, 660mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF, 113pF @ 16V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Vishay Siliconix

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 20V

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