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DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

참조 용

부품 번호 DMN53D0LDW-13
PNEDA 부품 번호 DMN53D0LDW-13
설명 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN53D0LDW-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN53D0LDW-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN53D0LDW-13, DMN53D0LDW-13 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 262.88 KB)
PDFDMN53D0LDW-13 데이터 시트 표지
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  • DMN53D0LDW-13 Distributor

DMN53D0LDW-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)360mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds46pF @ 25V
전력-최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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시리즈

Z-FET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

168A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 50mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9500pF @ 800V

전력-최대

568W

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3980pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.34A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 24V

전력-최대

730mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

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