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DMN3022LFG-7

DMN3022LFG-7

참조 용

부품 번호 DMN3022LFG-7
PNEDA 부품 번호 DMN3022LFG-7
설명 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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DMN3022LFG-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3022LFG-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3022LFG-7, DMN3022LFG-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 540.61 KB)
PDFDMN3022LFG-7 데이터 시트 표지
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  • DMN3022LFG-7 Distributor

DMN3022LFG-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대1.96W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8 (Type D)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

730pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

NTLJD2104PTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

467pF @ 6V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

NVMFD5C478NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

MP6K11TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

MPT6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1478pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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