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DMN3022LFG-13

DMN3022LFG-13

참조 용

부품 번호 DMN3022LFG-13
PNEDA 부품 번호 DMN3022LFG-13
설명 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN3022LFG-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3022LFG-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3022LFG-13, DMN3022LFG-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 540.61 KB)
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  • DMN3022LFG-13 Distributor

DMN3022LFG-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대1.96W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8 (Type D)

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2832pF @ 50V

전력-최대

187W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 8 x 8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 8 x 8 Dual

FDW2511NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

APTC80H15T1G

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Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4507pF @ 25V

전력-최대

277W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FDMS3620S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1570pF @ 13V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

전력-최대

1.25W

작동 온도

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