DMN3022LDG-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN3022LDG-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN3022LDG-7 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,372 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN3022LDG-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN3022LDG-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMN3022LDG-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.6A (Ta), 15A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 481pF @ 15V, 996pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.96W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI3333-8 (Type D) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 15V 전력-최대 960mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 36pF @ 25V 전력-최대 445mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 143pF @ 10V 전력-최대 850mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-26 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.4A, 29.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 15V 전력-최대 1.13W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
