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DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

참조 용

부품 번호 DMN3012LFG-7
PNEDA 부품 번호 DMN3012LFG-7
설명 MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN3012LFG-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3012LFG-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3012LFG-7, DMN3012LFG-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 610.48 KB)
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  • DMN3012LFG-7 Distributor

DMN3012LFG-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
전력-최대2.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc), 9.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V, 600pF @ 25V

전력-최대

27W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

EPC2107

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFBGA

공급자 장치 패키지

9-BGA (1.35x1.35)

IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1740pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta), 27A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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