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DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

참조 용

부품 번호 DMN2990UDJQ-7
PNEDA 부품 번호 DMN2990UDJQ-7
설명 MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN2990UDJQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2990UDJQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN2990UDJQ-7, DMN2990UDJQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 501.91 KB)
PDFDMN2990UDJQ-7 데이터 시트 표지
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  • DMN2990UDJQ-7 Distributor

DMN2990UDJQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)450mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27.6pF @ 16V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 10V

전력-최대

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작동 온도

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

710mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 25V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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6-TSSOP

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

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