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DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

참조 용

부품 번호 DMN13M9UCA6-7
PNEDA 부품 번호 DMN13M9UCA6-7
설명 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN13M9UCA6-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN13M9UCA6-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN13M9UCA6-7, DMN13M9UCA6-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 490.09 KB)
PDFDMN13M9UCA6-7 데이터 시트 표지
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  • DMN13M9UCA6-7 Distributor

DMN13M9UCA6-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs56.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3315pF @ 6V
전력-최대2.67W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지X3-DSN3518-6

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Toshiba Semiconductor and Storage

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.5pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.35V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

STL40DN3LLH5

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 25V

전력-최대

60W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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