DMHC4035LSDQ-13
참조 용
| 부품 번호 | DMHC4035LSDQ-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMHC4035LSDQ-13 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,344 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMHC4035LSDQ-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMHC4035LSDQ-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMHC4035LSDQ-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 574pF @ 20V, 587pF @ 20V |
| 전력-최대 | 1.5W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 128pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 680pF @ 13V 전력-최대 2.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 121nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6100pF @ 25V 전력-최대 69W, 96W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지 PG-TO263-5-1 |
