DMC2053UVT-7
참조 용
| 부품 번호 | DMC2053UVT-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMC2053UVT-7 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,402 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMC2053UVT-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC2053UVT-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMC2053UVT-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 369pF @ 10V, 440pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 540mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 98µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2546pF @ 25V 전력-최대 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 12.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
