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DCX100NS-7

DCX100NS-7

참조 용

부품 번호 DCX100NS-7
PNEDA 부품 번호 DCX100NS-7
설명 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 6,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DCX100NS-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DCX100NS-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
DCX100NS-7, DCX100NS-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 324.75 KB)
PDFDCX100NS-7 데이터 시트 표지
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DCX100NS-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10kOhms, 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1kOhms, 10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms, 10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

200MHz, 250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SMT6

RN4903(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

NSBC143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

RN2907FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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RN1906(T5L,F,T)

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트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

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패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

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