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D44H11

D44H11

참조 용

부품 번호 D44H11
PNEDA 부품 번호 D44H11_6B
설명 TRANS NPN 80V 10A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

D44H11 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호D44H11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
D44H11, D44H11 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 237.42 KB)
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D44H11 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 4A, 1V
전력-최대2W
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 60mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

225V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.4V @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-213AA, TO-66-2

공급자 장치 패키지

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BC69-16PA,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 1V

전력-최대

420mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

3-HUSON (2x2)

BC 848C B6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

330mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

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