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CY7C25652KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

참조 용

부품 번호 CY7C25652KV18-400BZXI
PNEDA 부품 번호 CY7C25652KV18-400BZXI
제조업체 Cypress Semiconductor
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 432
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
예상 배송 5월 10 - 5월 15 (신속 배송 선택)
보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C25652KV18-400BZXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
Mfr. 부품 번호CY7C25652KV18-400BZXI
분류반도체메모리 IC기억

CY7C25652KV18-400BZXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

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  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

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Micron Technology Inc.

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*

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-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BR95040-WMN6TP

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CY7C1352G-133AXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

BR24G01F-3AGTE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

70261L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

Certificates

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