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CY7C1370DV25-200BZCT

CY7C1370DV25-200BZCT

참조 용

부품 번호 CY7C1370DV25-200BZCT
PNEDA 부품 번호 CY7C1370DV25-200BZCT
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1370DV25-200BZCT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1370DV25-200BZCT
분류반도체메모리 IC기억

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CY7C1370DV25-200BZCT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈NoBL™
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3ns
전압-공급2.375V ~ 2.625V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S25FL256SAGBHMC00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

CY7C2564XV18-450BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

450MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS42S32800J-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

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