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CY7C13201KV18-300BZXC

CY7C13201KV18-300BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C13201KV18-300BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C13201KV18-300BZXC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $452.9068
50 ---------- $431.6767
100 ---------- $410.4467
200 ---------- $389.2167
400 ---------- $371.5251
500 ---------- $353.8334
재고 있음 2,990
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C13201KV18-300BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C13201KV18-300BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C13201KV18-300BZXC, CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 1,133.02 KB)
PDFCY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 표지
CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C13201KV18-300BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

eMMC

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

AT28HC256E-90TU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

MT40A512M8Z90BWC1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY14V101Q3-SFXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

30MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

S99FL132K0XMFI011

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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