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CY7C1308DV25C-167BZCT

CY7C1308DV25C-167BZCT

참조 용

부품 번호 CY7C1308DV25C-167BZCT
PNEDA 부품 번호 CY7C1308DV25C-167BZCT
설명 IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,390
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1308DV25C-167BZCT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1308DV25C-167BZCT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1308DV25C-167BZCT, CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 669.54 KB)
PDFCY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 표지
CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1308DV25C-167BZCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1308DV25C-167BZCT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR
메모리 크기9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.4V ~ 2.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

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기술

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메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

FT24C256A-ETR-T

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IDT71V416VS15YG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

M27C1001-10C1

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

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메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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