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CY7C128A-20VC

CY7C128A-20VC

참조 용

부품 번호 CY7C128A-20VC
PNEDA 부품 번호 CY7C128A-20VC
설명 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C128A-20VC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C128A-20VC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C128A-20VC, CY7C128A-20VC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 212.72 KB)
PDFCY7C128A-35VC 데이터 시트 표지
CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 2 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 3 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 4 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 5 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 6 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 7 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 8 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 9 CY7C128A-35VC 데이터 시트 페이지 10

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CY7C128A-20VC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ns
접근 시간20ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지24-SOJ

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기술

FLASH

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

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전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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54-TSOP II

MT44K32M18RB-093 IT:A

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

10ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-TBGA

공급자 장치 패키지

168-BGA (13.5x13.5)

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30µs, 1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

IS61LPS25618EC-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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